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凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特性，第三代半导体SiC对电力电子行业产生的革命性影响。SiC MOSFET,第三代半导体,车规碳化硅MOSFET,应用SiC碳化硅MOSFET带来一流的系统效率，更高的功率密度，更低的系统成本,第三代半导体材料SiC拥有卓越的开关性能、温度稳定性和低电磁干扰(EMI)，极其适合新一代电源转换应用，如V2G充电桩SiC MOSFET,无桥FPC SiC碳化硅MOSFET，图腾柱SiC碳化硅MOSFET,PFC碳化硅二极管SiC SBD,光伏碳化硅SiC模块，光伏混合SiC-IGBT模块，OBC碳化硅MOSFET，汽车DC-DC 碳化硅MOSFET，氢燃料空压机SiC碳化硅MOSFET，氢燃料DC-DC SiC碳化硅MOSFET,光储一体机SiC碳化硅MOSFET，Hybrid混合IGBT模块,充电桩电源模块PFC SiC碳化硅二极管，充电桩电源模块输出整流SiC-SBD，太阳能逆变器、电源、电动汽车和工业电源。SiC-MOSFET用于光伏逆变器，储能逆变器，UPS，通信电源等应用时，可以使得逆变器效率更高，输出功率更大，系统尺寸更小，致冷系统更简单（散热器体积更小或采用空气对流致冷）。第三代半导体SiC致力于满足用户对节能，提升效率、缩减尺寸、系统集成和提高可靠性的需求。
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